یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی c‏mos کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری۲.۵gb/s

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و توان مصرفی 12.16 mw را نشان می دهد که نشان دهنده عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای 2.5gb/s جهت استفاده در استاندارد sonet oc-48)) می باشد. دیاگرام چشمی به دست آمده برای نرخ داده ی 2.5 gb/s کیفیت سیگنال قابل قبولی رابرای جریان های ورودی تا 10 µa نشان می دهد.